Espectroscopia transitoria de corriente fotoinducida (PICTS)

Las celdas solares son una opción a las alternativas de energía para un Mexico sustentable por esto la necesidad del estudio de los materiales con los que se fabrican. Actualmente existen celdas solares fabricadas con diferentes materiales, sin embargo se buscan nuevos materiales que sean mas baratos o mas simples de fabricar, somo los son los materiales II-VI basados en componentes con cadmio como lo es el CdTe o el CdS que son semiconductores que aun siguen usándose para este fin, y que tienen como ventaja que son obtenidos como películas delgadas y que por tanto son mas baratos de obtener por el método de deposito por baño químico (CBD). Debido a esto es que se busca optimizar el estudio de los tiempos de vida de materiales semiconductores con alta resistividad o semiaisladores en general para poder complementar el estudio de espectroscopia transitoria de niveles profundos y sacar los parámetros que determinan el tiempo de vida y que son complicados de determinar mediante otros métodos. El tiempo de vida de recombinación para materiales semiaisladores es usualmente bajo. En resumen los portadores emitidos pueden ser reatrapados. Todos estos efectos hacen el método difícil de analizar 3, 4. Desafortunadamente hay muy pocas opciones de técnicas adicionales a PITS para caracterizar tales materiales. PITS ha sido usada para mapear impurezas de niveles profundos en GaAs a 1.2-mm de resolución por escanear la luz a través de la muestra mientras se hace la medida 5. El método ha sido usado para estudiar impurezas de niveles profundos en semiaisladores GaAs y InP. Impurezas de Cr y EL2 son de interés para GaAs y Fe y Cr para InP. En nuestro caso se plantea optimizar el método usando un instrumento automatizado que permite mediante labVIEW hacer la toma de mediciones de corriente y hacer la diferencia para diferentes razones de ventana, con la opción que al ser realizado por nosotros es adaptable a condiciones de optimización.

Desarrollo de equipo de caracterización para espectroscopia transitoria de fotocorriente inducida (PICT) para caracterizar semiconductores de alta resistividad.

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