A New Integration-Based Procedure to Extract the Threshold Voltage, the Mobility Enhancement Factor, and the Series Resistance of Thin-Film MOSFETs

Rodolfo Rodriguez-Davila, Adelmo Ortiz-Conde*, Carlos Avila-Avendano, Manuel A. Quevedo-Lopez

*Autor correspondiente de este trabajo

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Resumen

A method is presented to extract the series resistance, the threshold voltage, and the mobility enhancement factor of thin-film MOSFETs. This integration-based method, which only requires measuring the saturation drain current from a single test device, was tested using simulated and measured data of three different devices: amorphous indium-gallium-zinc oxide (IGZO), zinc oxide (ZnO), and polysilicon thin-film transistors (TFTs).

Idioma originalInglés
Número de artículo8713512
Páginas (desde-hasta)2979-2985
Número de páginas7
PublicaciónIEEE Transactions on Electron Devices
Volumen66
N.º7
DOI
EstadoPublicada - jul. 2019
Publicado de forma externa

Nota bibliográfica

Publisher Copyright:
© 1963-2012 IEEE.

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'A New Integration-Based Procedure to Extract the Threshold Voltage, the Mobility Enhancement Factor, and the Series Resistance of Thin-Film MOSFETs'. En conjunto forman una huella única.

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