A New Integration-Based Procedure to Extract the Threshold Voltage, the Mobility Enhancement Factor, and the Series Resistance of Thin-Film MOSFETs

Rodolfo Rodriguez-Davila, Adelmo Ortiz-Conde*, Carlos Avila-Avendano, Manuel A. Quevedo-Lopez

*Autor correspondiente de este trabajo

Producción científica: Contribución a una revista › Artículo › revisión exhaustiva

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Huella

Profundice en los temas de investigación de 'A New Integration-Based Procedure to Extract the Threshold Voltage, the Mobility Enhancement Factor, and the Series Resistance of Thin-Film MOSFETs'. En conjunto forman una huella única.

Ingeniería y ciencia de los materiales

Química