A review of recent MOSFET source and drain resistances extraction methods using a single test device

Adelmo Ortiz-Conde, Manuel A. Quevedo-Lopez

Resultado de la investigación: Capítulo del libro/informe/acta de congresoContribución a la conferenciarevisión exhaustiva

1 Cita (Scopus)

Resumen

The performance of MOSFETs is limited by the presence of parasitic series resistances. This article reviews three recent extraction methods to determine the values of drain and source series resistances from the measured drain current of a single three-terminal transistor. These methods can also be used in four-terminal MOSFETs.

Idioma originalInglés
Título de la publicación alojada2021 5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2021
EditorialInstitute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ISBN (versión digital)9781728181769
DOI
EstadoPublicada - 8 abr 2021
Evento5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2021 - Chengdu, China
Duración: 8 abr 202111 abr 2021

Serie de la publicación

Nombre2021 5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2021

Conferencia

Conferencia5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2021
País/TerritorioChina
CiudadChengdu
Período8/04/2111/04/21

Nota bibliográfica

Publisher Copyright:
© 2021 IEEE.

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'A review of recent MOSFET source and drain resistances extraction methods using a single test device'. En conjunto forman una huella única.

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