Ammonia-free chemically deposited CdS films as active layers in thin film transistors

G. Arreola-Jardón, L. A. González, L. A. García-Cerda, B. Gnade, M. A. Quevedo-López, R. Ramírez-Bon

Resultado de la investigación: Contribución a una revistaArtículoInvestigaciónrevisión exhaustiva

41 Citas (Scopus)
Idioma originalInglés estadounidense
Páginas (desde-hasta)517-520
Número de páginas4
PublicaciónThin Solid Films
DOI
EstadoPublicada - 29 oct 2010

Huella dactilar

Thin film transistors
Threshold voltage
Ammonia
ammonia
transistors
threshold voltage
thin films
Gases
Sodium
Annealing
citrates
Ions
Thin films
baths
sodium
annealing
electric potential
gases
ions
Hot Temperature

Citar esto

Arreola-Jardón, G., González, L. A., García-Cerda, L. A., Gnade, B., Quevedo-López, M. A., & Ramírez-Bon, R. (2010). Ammonia-free chemically deposited CdS films as active layers in thin film transistors. Thin Solid Films, 517-520. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2010.08.097
Arreola-Jardón, G. ; González, L. A. ; García-Cerda, L. A. ; Gnade, B. ; Quevedo-López, M. A. ; Ramírez-Bon, R. / Ammonia-free chemically deposited CdS films as active layers in thin film transistors. En: Thin Solid Films. 2010 ; pp. 517-520.
@article{3c7c94eeb8c649a5824839bad5cd114b,
title = "Ammonia-free chemically deposited CdS films as active layers in thin film transistors",
author = "G. Arreola-Jard{\'o}n and Gonz{\'a}lez, {L. A.} and Garc{\'i}a-Cerda, {L. A.} and B. Gnade and Quevedo-L{\'o}pez, {M. A.} and R. Ram{\'i}rez-Bon",
year = "2010",
month = "10",
day = "29",
doi = "10.1016/j.tsf.2010.08.097",
language = "American English",
pages = "517--520",
journal = "Thin Solid Films",
issn = "0040-6090",
publisher = "Elsevier",

}

Arreola-Jardón, G, González, LA, García-Cerda, LA, Gnade, B, Quevedo-López, MA & Ramírez-Bon, R 2010, 'Ammonia-free chemically deposited CdS films as active layers in thin film transistors', Thin Solid Films, pp. 517-520. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2010.08.097

Ammonia-free chemically deposited CdS films as active layers in thin film transistors. / Arreola-Jardón, G.; González, L. A.; García-Cerda, L. A.; Gnade, B.; Quevedo-López, M. A.; Ramírez-Bon, R.

En: Thin Solid Films, 29.10.2010, p. 517-520.

Resultado de la investigación: Contribución a una revistaArtículoInvestigaciónrevisión exhaustiva

TY - JOUR

T1 - Ammonia-free chemically deposited CdS films as active layers in thin film transistors

AU - Arreola-Jardón, G.

AU - González, L. A.

AU - García-Cerda, L. A.

AU - Gnade, B.

AU - Quevedo-López, M. A.

AU - Ramírez-Bon, R.

PY - 2010/10/29

Y1 - 2010/10/29

U2 - 10.1016/j.tsf.2010.08.097

DO - 10.1016/j.tsf.2010.08.097

M3 - Article

SP - 517

EP - 520

JO - Thin Solid Films

JF - Thin Solid Films

SN - 0040-6090

ER -

Arreola-Jardón G, González LA, García-Cerda LA, Gnade B, Quevedo-López MA, Ramírez-Bon R. Ammonia-free chemically deposited CdS films as active layers in thin film transistors. Thin Solid Films. 2010 oct 29;517-520. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2010.08.097