Atomic layer deposited HfO2 and HfSiO to enable CMOS gate dielectric scaling, mobility, and VTH stability

Paul D. Kirsch*, Manuel Quevedo-Lopez, Siddarth A. Krishnan, S. C. Song, Rino Choi, Prashant Majhi, Yoshi Senzaki, Gennadi Bersuker, Byoung Hun Lee

*Autor correspondiente de este trabajo

Producción científica: Capítulo del libro/informe/acta de congreso › Contribución a la conferencia › revisión exhaustiva

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Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Atomic layer deposited HfO2 and HfSiO to enable CMOS gate dielectric scaling, mobility, and VTH stability'. En conjunto forman una huella única.

Ingeniería y ciencia de los materiales