Band edge n-MOSFETs with high-k/metal gate stacks scaled to EOT=0.9nm with excellent carrier mobility and high temperature stability

P. D. Kirsch, M. A. Quevedo-Lopez, S. A. Krishnan, C. Krug, H. AlShareef, C. S. Park, R. Harris, N. Moumen, A. Neugroschel, G. Bersuker, B. H. Lee, J. G. Wang, G. Pant, B. E. Gnade, M. J. Kim, R. M. Wallace, J. S. Jur, D. J. Lichtenwalner, A. I. Kingon, R. Jammy

Resultado de la investigación: Contribución a una conferenciaArtículo

14 Citas (Scopus)
Idioma originalInglés estadounidense
DOI
EstadoPublicada - 1 dic 2006
Publicado de forma externa
EventoTechnical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM -
Duración: 1 dic 2006 → …

Conferencia

ConferenciaTechnical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM
Período1/12/06 → …

Huella Profundice en los temas de investigación de 'Band edge n-MOSFETs with high-k/metal gate stacks scaled to EOT=0.9nm with excellent carrier mobility and high temperature stability'. En conjunto forman una huella única.

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    Kirsch, P. D., Quevedo-Lopez, M. A., Krishnan, S. A., Krug, C., AlShareef, H., Park, C. S., Harris, R., Moumen, N., Neugroschel, A., Bersuker, G., Lee, B. H., Wang, J. G., Pant, G., Gnade, B. E., Kim, M. J., Wallace, R. M., Jur, J. S., Lichtenwalner, D. J., Kingon, A. I., & Jammy, R. (2006). Band edge n-MOSFETs with high-k/metal gate stacks scaled to EOT=0.9nm with excellent carrier mobility and high temperature stability. Papel presentado en Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM, . https://doi.org/10.1109/IEDM.2006.346862