Band edge n-MOSFETs with high-k/metal gate stacks scaled to EOT=0.9nm with excellent carrier mobility and high temperature stability

P. D. Kirsch, M. A. Quevedo-Lopez, S. A. Krishnan, C. Krug, H. AlShareef, C. S. Park, R. Harris, N. Moumen, A. Neugroschel, G. Bersuker, B. H. Lee, J. G. Wang, G. Pant, B. E. Gnade, M. J. Kim, R. M. Wallace, J. S. Jur, D. J. Lichtenwalner, A. I. Kingon, R. Jammy

Resultado de la investigación: Contribución a una conferenciaArtículo

14 Citas (Scopus)

Huella Profundice en los temas de investigación de 'Band edge n-MOSFETs with high-k/metal gate stacks scaled to EOT=0.9nm with excellent carrier mobility and high temperature stability'. En conjunto forman una huella única.

Física y astronomía