Bias stress study of Metal-Insulator-Semiconductor structures with pulsed laser deposited InGaZnO on atomic layer deposited HfO2

S. I. Garduño, M. Estrada, I. Hernandez, A. Cerdeira, J. I. Mejía, M. E. Rivas, M. A. Quevedo

Producción científica: Capítulo del libro/informe/acta de congresoContribución a la conferenciarevisión exhaustiva

Resumen

Bias stress study is presented in Metal-Insulator-Semiconductor structure using Indium-Gallium-Zinc oxide film on top of HfO2, deposited by pulsed laser deposition and atomic layer deposition, respectively. The produced effect on this interface is analyzed through hysteresis measurements at different bias conditions for several periods of time.

Idioma originalInglés
Título de la publicación alojada2015 IEEE International Autumn Meeting on Power, Electronics and Computing, ROPEC 2015
EditorialInstitute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ISBN (versión digital)9781467371216
DOI
EstadoPublicada - 29 ene. 2016
Publicado de forma externa
Evento17th IEEE International Autumn Meeting on Power, Electronics and Computing, ROPEC 2015 - Ixtapa, México
Duración: 4 nov. 20156 nov. 2015

Serie de la publicación

Nombre2015 IEEE International Autumn Meeting on Power, Electronics and Computing, ROPEC 2015

Conferencia

Conferencia17th IEEE International Autumn Meeting on Power, Electronics and Computing, ROPEC 2015
País/TerritorioMéxico
CiudadIxtapa
Período4/11/156/11/15

Nota bibliográfica

Publisher Copyright:
© 2015 IEEE.

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Bias stress study of Metal-Insulator-Semiconductor structures with pulsed laser deposited InGaZnO on atomic layer deposited HfO2'. En conjunto forman una huella única.

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