Deconvolution of Hot Carrier and Cold Carrier Injection in ZnO TFTs

P. Bolshakov, R. A. Rodriguez-Davila, M. Quevedo-Lopez, C. D. Young*

*Autor correspondiente de este trabajo

Resultado de la investigación: Capítulo del libro/informe/acta de congresoContribución a la conferenciarevisión exhaustiva

Resumen

Positive bias instability stress (PBI) and hot carrier injection stress (HCI) was done on ZnO thin-film transistors (TFTs) with 100°C Al2O3. The threshold voltage (VT), transconductance (gm), and subthreshold slope (SS) were monitored. HCI stress with two intermittent sense measurements where the first IDS-VGS is measured at the drain contact and the second is measured at the source contact to separate the contribution of the hot carrier and cold carrier injection on the VT shift. PBI stress was done to determine the viability of the carrier injection separation using only HCI.

Idioma originalInglés
Título de la publicación alojada2020 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2020
EditorialInstitute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
Páginas73-74
Número de páginas2
ISBN (versión digital)9781728197357
DOI
EstadoPublicada - jun 2020
Evento2020 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2020 - Honolulu, Estados Unidos
Duración: 13 jun 202014 jun 2020

Serie de la publicación

Nombre2020 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2020

Conferencia

Conferencia2020 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2020
País/TerritorioEstados Unidos
CiudadHonolulu
Período13/06/2014/06/20

Nota bibliográfica

Publisher Copyright:
© 2020 IEEE.

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Deconvolution of Hot Carrier and Cold Carrier Injection in ZnO TFTs'. En conjunto forman una huella única.

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