Effect of nitrogen incorporation on 1/f noise performance of metal-oxide-semiconductor field effect transistors with HfSiON dielectric

M. Shahriar Rahman, Tanvir Morshed, S. P. Devireddy, Zeynep Çelik-Butler*, M. A. Quevedo-Lopez, A. Shanware, L. Colombo

*Autor correspondiente de este trabajo

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Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Effect of nitrogen incorporation on 1/f noise performance of metal-oxide-semiconductor field effect transistors with HfSiON dielectric'. En conjunto forman una huella única.

Física y astronomía