Effect of thickness on the crystallization of ultrathin HfSiON gate dielectrics

G. Pant^*, A. Gnade, M. J. Kim, R. M. Wallace, B. E. Gnade, M. A. Quevedo-Lopez, P. D. Kirsch

^*Autor correspondiente de este trabajo

Producción científica: Contribución a una revista › Artículo › revisión exhaustiva