Electrical stress in CdS thin film transistors using HfO<inf>2</inf> gate dielectric

R. García; I. Mejia; J. E. Molinar-Solis; A. L. Salas-Villasenor; A. Morales; B. García; M. A. Quevedo-Lopez; M. Alemán

doi:10.1063/1.4807720

Electrical stress in CdS thin film transistors using HfO<inf>2</inf> gate dielectric

R. García, I. Mejia, J. E. Molinar-Solis, A. L. Salas-Villasenor, A. Morales, B. García, M. A. Quevedo-Lopez, M. Alemán

Resultado de la investigación: Contribución a una revista › Artículo › revisión exhaustiva

Idioma original	Inglés estadounidense
Publicación	Applied Physics Letters
DOI	https://doi.org/10.1063/1.4807720
Estado	Publicada - 20 may 2013
Publicado de forma externa	Sí

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10.1063/1.4807720

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@article{031449452f4241e09d57c96b1b6ff9ea,

title = "Electrical stress in CdS thin film transistors using HfO2 gate dielectric",

author = "R. Garc{\'i}a and I. Mejia and Molinar-Solis, {J. E.} and Salas-Villasenor, {A. L.} and A. Morales and B. Garc{\'i}a and Quevedo-Lopez, {M. A.} and M. Alem{\'a}n",

year = "2013",

month = may,

day = "20",

doi = "10.1063/1.4807720",

language = "American English",

journal = "Applied Physics Letters",

issn = "0003-6951",

publisher = "American Institute of Physics",

}

TY - JOUR

T1 - Electrical stress in CdS thin film transistors using HfO2 gate dielectric

AU - García, R.

AU - Mejia, I.

AU - Molinar-Solis, J. E.

AU - Salas-Villasenor, A. L.

AU - Morales, A.

AU - García, B.

AU - Quevedo-Lopez, M. A.

AU - Alemán, M.

PY - 2013/5/20

Y1 - 2013/5/20

U2 - 10.1063/1.4807720

DO - 10.1063/1.4807720

M3 - Article

JO - Applied Physics Letters

JF - Applied Physics Letters

SN - 0003-6951

ER -

Electrical stress in CdS thin film transistors using HfO<inf>2</inf> gate dielectric

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