Erratum: Effect of N incorporation on boron penetration from p+ polycrystalline-Si through HfSixOy films (Applied Physics Letters (2003) 82 (4669))

M. A. Quevedo-Lopez*, M. El-Bouanani, M. J. Kim, B. E. Gnade, R. M. Wallace, M. R. Visokay, A. LiFatou, J. J. Chambers, L. Colombo

*Autor correspondiente de este trabajo

Producción científica: Contribución a una revistaComentario/Debate

2 Citas (Scopus)
Idioma originalInglés
Páginas (desde-hasta)1679
Número de páginas1
PublicaciónApplied Physics Letters
Volumen83
N.º8
DOI
EstadoPublicada - 25 ago. 2003
Publicado de forma externa

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