Failure Probability due to Radiation-induced Effects in FinFET SRAM Cells under Process Variations

Victor Champac*, Hector Villacorta*, R. Gomez-Fuentes, Fabian Vargas, Jaume Segura

*Autor correspondiente de este trabajo

Producción científica: Capítulo del libro/informe/acta de congresoContribución a la conferenciarevisión exhaustiva

1 Cita (Scopus)

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Failure Probability due to Radiation-induced Effects in FinFET SRAM Cells under Process Variations'. En conjunto forman una huella única.

Ingeniería y ciencia de los materiales