Optoelectronic attenuation behavior of Al2O3/ZnO nanolaminates grown by Atomic Layer Deposition

F. Romo-Garcia; H.J. Higuera-Valenzuela; D. Cabrera-German; D. Berman-Mendoza; A. Ramos-Carrazco; H. Tiznado; G.A. Hirata; O.E. Contreras; R. Garcia-Gutierrez

doi:10.1016/j.tsf.2018.11.026

Optoelectronic attenuation behavior of Al₂O₃/ZnO nanolaminates grown by Atomic Layer Deposition

F. Romo-Garcia, H.J. Higuera-Valenzuela, D. Cabrera-German, D. Berman-Mendoza, A. Ramos-Carrazco, H. Tiznado, G.A. Hirata, O.E. Contreras, R. Garcia-Gutierrez

Producción científica: Contribución a una revista › Artículo › revisión exhaustiva

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Idioma original	Indefinido/desconocido
Publicación	Thin Solid Films
DOI	https://doi.org/10.1016/j.tsf.2018.11.026
Estado	Publicada - 2019

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10.1016/j.tsf.2018.11.026

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TY - JOUR

T1 - Optoelectronic attenuation behavior of Al2O3/ZnO nanolaminates grown by Atomic Layer Deposition

AU - Romo-Garcia, F.

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M3 - Artículo

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JO - Thin Solid Films

JF - Thin Solid Films

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