Phosphorus and arsenic penetration studies through HfSi<inf>x</inf>O <inf>y</inf> and HfSi<inf>x</inf>O<inf>y</inf>N<inf>z</inf> films

M. A. Quevedo-Lopez, M. El-Bouanani, M. J. Kim, B. E. Gnade, R. M. Wallace, M. R. Visokay, A. Li-Fatou, M. J. Bevan, L. Colombo

Resultado de la investigación: Contribución a una revistaArtículorevisión exhaustiva

38 Citas (Scopus)
Idioma originalInglés estadounidense
Páginas (desde-hasta)1609-1611
Número de páginas3
PublicaciónApplied Physics Letters
DOI
EstadoPublicada - 26 ago 2002
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Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Phosphorus and arsenic penetration studies through HfSi<inf>x</inf>O <inf>y</inf> and HfSi<inf>x</inf>O<inf>y</inf>N<inf>z</inf> films'. En conjunto forman una huella única.

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