Temperature dependence of the electrical characteristics up to 370 K of amorphous In-Ga-ZnO thin film transistors

M. Estrada*, M. Rivas, I. Garduño, F. Avila-Herrera, A. Cerdeira, M. Pavanello, I. Mejia, M. A. Quevedo-Lopez

*Autor correspondiente de este trabajo

Producción científica: Contribución a una revistaArtículorevisión exhaustiva

21 Citas (Scopus)

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Temperature dependence of the electrical characteristics up to 370 K of amorphous In-Ga-ZnO thin film transistors'. En conjunto forman una huella única.

Física y astronomía

Química

Ingeniería y ciencia de los materiales