Use of Gold Nanoparticles in Indium Gallium Nitride Growth for Improving the Photoactive Electrical Performance of p-n Junctions

G. Valenzuela-Hernandez; R. Rangel; R. García; O. Contreras; A.V. Torres-Figueroa; L. Medina-Zazueta; A. Ramos-Carrazco; D. Berman Mendoza

doi:10.1021/acsaelm.4c00404

Use of Gold Nanoparticles in Indium Gallium Nitride Growth for Improving the Photoactive Electrical Performance of p-n Junctions

G. Valenzuela-Hernandez, R. Rangel, R. García, O. Contreras, A.V. Torres-Figueroa, L. Medina-Zazueta, A. Ramos-Carrazco, D. Berman Mendoza

Producción científica: Contribución a una revista › Artículo › revisión exhaustiva

Idioma original	Indefinido/desconocido
Publicación	ACS Applied Electronic Materials
DOI	https://doi.org/10.1021/acsaelm.4c00404
Estado	Publicada - 2024

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10.1021/acsaelm.4c00404

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T1 - Use of Gold Nanoparticles in Indium Gallium Nitride Growth for Improving the Photoactive Electrical Performance of p-n Junctions

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JO - ACS Applied Electronic Materials

JF - ACS Applied Electronic Materials

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