Wet chemical etching studies of Zr and Hf-silicate gate dielectrics

M. A. Quevedo-Lopez, M. El-Bouanani, R. M. Wallace, B. E. Gnade*

*Autor correspondiente de este trabajo

Producción científica: Contribución a una revistaArtículorevisión exhaustiva

33 Citas (Scopus)

Resumen

The effect of thermal annealing on the etching efficiency of different hydrofluoric acid (HF) solutions for ZrSixOy and HfSixOy was investigated. The as-deposited Hf silicate films were more difficult to etch as compared to as-deposited Zr silicate films. Film densification along with crystallization of the silicate films was thought to be responsible for the etch rate change in the silicate systems.

Idioma originalInglés
Páginas (desde-hasta)1891-1897
Número de páginas7
PublicaciónJournal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films
Volumen20
N.º6
DOI
EstadoPublicada - nov. 2002
Publicado de forma externa

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Wet chemical etching studies of Zr and Hf-silicate gate dielectrics'. En conjunto forman una huella única.

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